IRLR8729PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:58 A
Rds上漏源导通电阻:11.9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.35 V
Qg-血浆甲醛:10 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:55 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
类型:HEXFET功率MOSFET
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:91 S
下降时间:10 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:47 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:11 ns
典型起始延迟时间:10 ns
零件号别名:SP001574172
单位重量:4 g
应用领域
•用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
•具有同步整流功能的高频隔离式DC-DC转换器,用于电信和工业用途
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•超低门阻抗
•完全表征的雪崩电压和电流
•无铅
•符合RoHS
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

58©

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

41©

IDM

Pulsed Drain Current G)

260

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation (1)  

55

W

PD @TC = 100°C

Maximum Power Dissipation (1)  

27

 

Linear Derating Factor

0.37

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case)

型号/规格

IRLR8729PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装