IRLR8729PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：58 A
Rds上漏源导通电阻：11.9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.35 V
Qg-血浆甲醛：10 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：55 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：91 S
下降时间：10 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：47 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：11 ns
典型起始延迟时间：10 ns
零件号别名：SP001574172
单位重量：4 g
应用领域
•用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
•具有同步整流功能的高频隔离式DC-DC转换器，用于电信和工业用途
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•超低门阻抗
•完全表征的雪崩电压和电流
•无铅
•符合RoHS
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	58©	A
ID @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	41©
IDM	Pulsed Drain Current G)	260
PD @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation (1)	55	W
PD @T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation (1)	27	W
	Linear Derating Factor	0.37	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case)	°C

型号/规格

IRLR8729PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装