IRF530NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：17 A
Rds上漏源导通电阻：90毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：24.7 nC
Pd-功率耗散：79 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF530NPBF SP001570120
单位重量：6 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司（International Rectifier）的
高级HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理
技术来实现每硅面积的极低导通电阻。
这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的
快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，
为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，
可广泛用于各种应用中。
TO-220封装普遍适用于所有功耗约为50瓦的商业工业应用。
TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
最大绝对额定值
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
17
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
12
IDM
Pulsed Drain Current G)
60
PD @TC = 25°C
Power Dissipation
70
W
Linear Derating Factor
0.47
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
土 20
V
IAR
Avalanche CurrentG)
9.0
A
EAR
Repetitive Avalanche EnergyG)
7.0
mJ
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt Gl
7.4
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
300 (1.6mm from case )
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
10 lbf•in (1.1N•m)
IRF530NPBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
