IRF7101PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：3.5 A
Rds上漏源导通电阻：150毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3 V
Qg-血浆甲醛：10 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：1.1 S
下降时间：30 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：10 ns
工厂包装数量：95
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：24 ns
典型起始延迟时间：7 ns
零件号别名：SP001559728
单位重量：540毫克
特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•双N沟道MOSFET
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第四代HEXFET采用先进的处理技术，

以实现每个硅面积上可能的导通电阻。 这种优势与

HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐

用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效的器件，

可广泛用于各种应用中。

SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性

和双管芯功能，使其成为各种电源应用的理想选择。

 通过这些改进，可以在一块板子空间大大减少的

应用中使用多种设备。 该封装设计用于气相，

红外或波峰焊技术。 在典型的PCB安装应用中，

功耗可能大于0.8W。

最大绝对额定值