IRLS4030TRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-263-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:180 A
Rds上漏源导通电阻:4.3毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
Qg-萘甲酸:130 nC
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:370 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
MOSFET晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:320 S
下降时间:170 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:330 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRLS4030TRLPBF SP001552944
单位重量:4 g
应用领域
•直流电机驱动
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•针对逻辑电平驱动进行了优化
•在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)
•4.5V VGS时具有出色的R * Q
•改进的门,雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

180

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

130

IDM

Pulsed Drain Current CD

730

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

370

W

 

Linear Derating Factor

2.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 16

V

dv/dt

Peak Diode Recovery CT

21

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case ®®

–––

0.40

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

–––

40

型号/规格

IRLS4030TRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装