IRLS4030TRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：180 A
Rds上漏源导通电阻：4.3毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：2.5 V
Qg-萘甲酸：130 nC
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：370 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：320 S
下降时间：170 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：330 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLS4030TRLPBF SP001552944
单位重量：4 g
应用领域
•直流电机驱动
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•针对逻辑电平驱动进行了优化
•在4.5V VGS时具有极低的RDS（ON）
•4.5V VGS时具有出色的R * Q
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	180	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	130
IDM	Pulsed Drain Current CD	730
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	370	W
	Linear Derating Factor	2.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 16	V
dv/dt	Peak Diode Recovery CT	21	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C

热阻

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJC	Junction-to-Case ®®	–––	0.40	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient (PCB Mount) 0®	–––	40	°C/W

型号/规格

IRLS4030TRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装