IRFB4229PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：250 V
Id-连续直流电流：46 A
Rds上漏源导通电阻：46毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Qg-血浆甲醛：72 nC
最小工作温度：-40 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：330 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：83 S
下降时间：21 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：31 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：30 ns
典型中断时间：18 ns
零件号别名：IRFB4229PBF SP001565910
单位重量：6 g
特征
•先进的工艺技术
•针对PDP维持，能量回收和通道切换应用优化的关键参数
•低EPULSE额定值，以减少PDP维持，能量回收和通行开关应用中的功耗
•低质量保证，快速响应
•高重复峰值电流能力，确保可靠运行
•缩短下降和上升时间以实现快速切换
•175°C的工作结温，以提高坚固性
•重复的雪崩能力，具有坚固性和可靠性
•D类音频放大器300W-500W（半桥）

描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为Sustain设计。

等离子显示面板中的能量回收和通过开关应用。

该MSFET利用最新的处理技术来实现较低的

每硅面积导通电阻和低EPULSE额定值。

该MOSFET的其他功能是175°C的工作结温

和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，

使该MOSFET成为用于PDP驱动应用的高效，

坚固和可靠的器件。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VGS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	46	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	33
IDM	Pulsed Drain Current G)	180
I_RP @ T_C = 100°C	Repetitive Peak Current CT	91
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	330	W
P_D @T_C = 100°C	Power Dissipation	190	W
	Linear Derating Factor	2.2	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-40 to + 175	°C
	Soldering Temperature for 10 seconds	300	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw	10lb"in (1.1N"m)	N

型号/规格

IRFB4229PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装