IRLB3813PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：260 A
Rds上漏源导通电阻：1.95 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.9 V
Qg-血浆甲醛：57 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：230 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-对抗：140 S
下降时间：60 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：170 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：33 ns
典型起始延迟时间：36 ns
零件号别名：IRLB3813PBF SP001558110
单位重量：6 g
应用领域
•针对UPS /逆变器应用进行了优化
•具有同步整流功能的高频隔离式DC-DC转换器，用于电信和工业用途
•电动工具
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•超低门阻抗
•全面表征雪崩电压和电流
•无铅

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	260®	A
ID @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	190®
IDM	Pulsed Drain Current CD	1050
PD @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation �	230	W
PD @T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation �	120	W
	Linear Derating Factor	1.6	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case)
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb'in (1.1N'm)

型号/规格

IRLB3813PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装