IRLR120NTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：11 A
Rds上漏源导通电阻：265毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：13.3 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：39 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：22 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：35 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：23 ns
典型起始延迟时间：4 ns
零件号别名：IRLR120NTRPBF SP001574026
单位重量：4 g

特征

•表面贴装（IRLR120N）
•直引线（IRLU120N）
•先进的工艺技术
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术，

可实现每个硅面积上的导通电阻。这种好处与

HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固

耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常

有效的器件，可广泛用于各种应用中。
D-PAK设计为使用气相，红外或波峰焊接技术进行表

面安装。直引线版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。

在典型的表面贴装应用中，功耗可能高达1.5瓦。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	10	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	7.0
IDM	Pulsed Drain Current CD®	35
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	48	W
	Linear Derating Factor	0.32	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 16	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0®	85	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD®	6.0	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD®	4.8	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C

型号/规格

IRLR120NTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装