IRF8010STRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：80 A
漏源导通电阻：15 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：81 nC
Pd-功率耗散：260 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF8010STRLPBF SP001565774
单位重量：4 g
应用领域
•高频DC-DC转换器
•UPS和电机控制
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计（请参见应用笔记AN1001）
•全面表征雪崩电压和电流
•典型RDS（on）=12mΩ
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	80CV	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	57
IDM	Pulsed Drain Current CD	320
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	260	W
	Linear Derating Factor	1.8	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	16	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C

热阻

	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJC	Junction-to-Case	–––	0.57	°C/W
RqJC	Junction-to-Case (end of life) (1)	–––	0.80
RqCS	Case-to-Sink, Flat, Greased Surface	0.50	–––
RqJA	Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)®	–––	40

型号/规格

IRF8010STRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装