IRLR024NTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：17 A
Rds漏源导通电阻：110毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：10 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：38 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：29 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：74 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：20 ns
典型起始延迟时间：7.1 ns
零件号别名：IRLR024NTRPBF SP001578872
单位重量：550毫克
特征

•逻辑级门驱动
•表面贴装（IRLR024N）
•直引线（IRLU024N）
•先进的工艺技术
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述

国际整流器公司的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术，

使每硅面积的导通电阻达到。这种好处与HEXFET功率MSFET

众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员

提供了一种非常有效的器件，可广泛用于各种应用中。
D-PAK设计用于使用气相，红外或波峰焊技术进行表面安装。

直引线版本（IRFU系列）用于通孔安装应用。在典型的

表面贴装应用中，功耗可能高达1.5瓦。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	17	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	12
IDM	Pulsed Drain Current CD	72
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	45	W
	Linear Derating Factor	0.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 16	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy<D	68	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	11	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	4.5	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ®	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C

型号/规格

IRLR024NTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装