IRF1010EPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：81 A
漏源导通电阻：12 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：86.6 nC
Pd-功率耗散：170 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF1010EPBF SP001569818
单位重量：6 g
特征

先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
无铅
产品描述

国际先进的HEXFET®功率MOSFET
整流器利用先进的处理技术来实现
每个硅面积的导通电阻极低。这个好处
结合快速的开关速度和坚固耐用
HEXFET功率MOSFET良好的器件设计
闻名，为设计师提供了极为有效的
可靠的设备，可用于多种应用。
TO-220封装普遍适用于所有
功耗下的商业应用
功率约为50瓦。低热量
TO-220的低电阻和低封装成本
受到整个行业的广泛认可。

绝对最大额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	840	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	59
IDM	Pulsed Drain Current CD	330
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	200	W
	Linear Derating Factor	1.4	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
IAR	Avalanche CurrentCD	50	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	17	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt Gl	4.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF1010EPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装