IRF3710ZSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：59 A
Rds上漏源导通电阻：18毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：82 nC
Pd-功率耗散：160 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：4.4毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：9.25毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF3710ZSTRLPBF SP001570170
单位重量：4 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，

使每个硅面积的导通电阻极低。此设计的其他

功能是175°C的结温，快速的开关速度和改进的

重复雪崩额定值。这些功能相结合，使该设计

成为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种应用。

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	59	A
ID @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (See Fig. 9)	42
IDM	Pulsed Drain Current CD	240
PD @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	160	W
	Linear Derating Factor	1.1	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) Q)	170	mJ
E_AS (tested)	Single Pulse Avalanche Energy Tested Value 0	200	mJ
IAR	Avalanche Current CD	See Fig.12a,12b,15,16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy ®	See Fig.12a,12b,15,16	mJ
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF3710ZSTRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装