IRF7328TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:P-Channel
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:8 A
Rds上漏源导通电阻:21毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:52 nC
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7328TRPBF SP001565270
单位重量:540毫克
特征

•风沟技术
•超低导通电阻
•双P沟道MOSFET
•提供卷带包装
•无铅
描述
来自国际整流器公司的新型沟槽HEXFET®功率MSFET

利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。

 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的坚固耐用

的器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常高效且

可靠的器件,可用于电池和负载管理应用。
最大绝对额定值

 

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-Source Voltage

-30

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-8.0

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-6.4

IDM

Pulsed Drain CurrentCD

-32

PD @TA = 25°C

Maximum Power DissipationGl

2.0

W

PD @TA = 70°C

Maximum Power DissipationGl

1.3

W

 

Linear Derating Factor

16

mW/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

TJ , TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

热阻

Parameter

Max.

Units

RqJA

Maximum Junction-to-Ambient Gl

62.5

°C/W


型号/规格

IRF7328TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装