IRF7328TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：8 A
Rds上漏源导通电阻：21毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：52 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7328TRPBF SP001565270
单位重量：540毫克
特征
•风沟技术
•超低导通电阻
•双P沟道MOSFET
•提供卷带包装
•无铅
描述
来自国际整流器公司的新型沟槽HEXFET®功率MSFET
利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。
这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的坚固耐用
的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常高效且
可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-Source Voltage |
-30 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-8.0 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-6.4 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain CurrentCD |
-32 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power DissipationGl |
2.0 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Maximum Power DissipationGl |
1.3 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
16 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
TJ , TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
RqJA |
Maximum Junction-to-Ambient Gl |
62.5 |
°C/W |
IRF7328TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
