IRF5210STRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：40 A
Rds上漏源导通电阻：60毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：120 nC
MOSFETPd-功率耗散：3.8 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF5210STRLPBF SP001554020
单位重量：4 g
特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•150°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•某些参数与IRF5210S / L不同
•P通道
•无铅
描述
此设计的特点是结温为150°C，开关速度快，

重复雪崩额定值更高。这些功能相结合，

使该设计成为一种非常有效和可靠的设备，

可用于多种其他应用。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ -10V	-38	A
ID @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-24
IDM	Pulsed Drain Current CD	-140
PD @T_A = 25°C	Maximum Power Dissipation	3.1	W
PD @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	170	W
	Linear Derating Factor	1.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy @	120	mJ
IAR	Avalanche Current CD	-23	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy CD	17	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt @	-7.4	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C

型号/规格

IRF5210STRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装