IRFR9024NTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：11 A
Rds上漏源导通电阻：175毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：12.7 nC
Pd-功率耗散：38 W
商标名：StrongIRFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFR9024NTRPBF SP001557190
单位重量：4 g
特征

超低导通电阻
P-通道表面安装（IRFR9024N）
直导线（IRFU9024N）
先进工艺技术
快速切换
完全雪崩额定值
无铅

说明
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的工艺技术，

实现了每硅面积的极低导通电阻。这一优点，加上HEXFET

功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，

为设计人员提供了一个非常高效和可靠的设备，可用于

多种应用中D-pak设计用于使用气相和红外等表面安装，

或波峰焊接技术直引线版本（RFU系列）适用于通孔安

装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可达到1.5瓦
绝对最大额定值

sparametermaxunitsi C To=25 C连续漏极电流，

Vos 0-10vIb O Tc=100C连续漏极电流Vs 0-10v脉冲

漏极电流①Pc@To=25℃功耗38线性降额系数pcgate-To-source

电压±20EASingle脉冲雪崩能量@62MJ6.6重复雪崩能量

o3.8dv/dtPeak二极管恢复dict e10vn工作结和-55to+150stg

存储温度范围温度，持续10秒300距外壳1.5毫米热阻参数

最大单位功能至外壳3.3恢复至环境温度PCB安装连接至环境温度110