IRFB7530PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
MOSFET晶体管极性:N沟道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:295 A
Rds上漏源导通电阻:1.65 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V
Qg-萘甲酸:274 nC
Pd-功率耗散:375 W
通道模式:增强
商标名:StrongIRFET
封装:Tube
高度:15.65毫米
长度:10毫米
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:242 S
下降时间:104 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:141 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:172 ns
典型起始延迟时间:52 ns
零件号别名:IRFB7530PBF SP001575524
单位重量:6 g
应用
有刷电机驱动应用
BLDC电机驱动应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器的应用
谐振模式电源
ORing和冗余电源开关
DC/ DC和AC / DC转换器
DC/ AC逆变器
好处
改进了Gate,雪崩和动态dV / dt坚固性
完全表征的电容和雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅,符合RoHS标准
最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

295

 

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

208

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)

195

IDM

Pulsed Drain Current

760

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

375

W

 

Linear Derating Factor

2.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

TJ

TSTG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

10 lbf·in (1.1 N·m)

型号/规格

IRFB7530PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装