IRFH8334TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：25 A
Rds上漏源导通电阻：13.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：7.1 nC
Pd-功率耗散：30 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFH8334TRPBF SP001577860
应用领域
高频降压转换器的控制MOSFET
特征
对PCB的低热阻（<4.1°C / W）
薄型（<1.2mm）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格认证
好处
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
ID @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	14	A
ID @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	12
ID @ TC(Bottom) = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	44@(2)
ID @ TC(Bottom) = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	28@(2)
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Source Bonding Technology Limited)	25(2)
IDM	Pulsed Drain Current CD	100
PD @T_A = 25°C	Power Dissipation (1)	3.2	W
PD @TC(Bottom) = 25°C	Power Dissipation (1)	30	W
	Linear Derating Factor (1)	0.026	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRFH8334TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装