IRFH8334TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:25 A
Rds上漏源导通电阻:13.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:7.1 nC
Pd-功率耗散:30 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.83毫米
长度:6 mm
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFH8334TRPBF SP001577860
应用领域
高频降压转换器的控制MOSFET
特征
对PCB的低热阻(<4.1°C / W)
薄型(<1.2mm)
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
MSL1,消费者资格认证
好处
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

14

 

 

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

12

ID @ TC(Bottom) = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

44@(2)  

ID @ TC(Bottom) = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

28@(2)  

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding

Technology Limited)

25(2)  

IDM

Pulsed Drain Current CD

100

PD @TA = 25°C

Power Dissipation (1)  

3.2

W

PD @TC(Bottom) = 25°C

Power Dissipation (1)  

30

 

Linear Derating Factor (1)  

0.026

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

型号/规格

IRFH8334TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装