IRF7509TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：Micro-8
晶体管极性：N沟道，P沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：2.7 A
Rds漏源导通电阻：200毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：7.8 nC，7.5 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.25 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.11毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 N通道，1 P通道
宽度：3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-应力：1.9 S，0.92 S
下降时间：5.3 ns，9.3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：10 ns，12 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：12 ns，19 ns
典型起始延迟时间：4.7 ns，9.7 ns
零件号别名：IRF7509TRPBF SP001570444
单位重量：25.540毫克
特征
•第五代技术
•超低导通电阻
•双N和P沟道MOSFET
•非常小的SOIC封装
•薄型（<1.1mm）
•提供卷带包装
•快速切换
•无铅

描述

国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器

件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可

靠的器件，可广泛用于各种应用中。
新的Micro8封装具有标准SO-8占地面积的一半，在SOIC

外形中提供了最小的占位面积。 这使得Micro8成为印

刷电路板空间非常宝贵的应用的理想设备。 Micro8的

薄型（<1.1mm）将使其易于安装在极薄的应用环境

中，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。