IRF2807STRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：82 A
Rds上漏源导通电阻：13毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：106.7 nC
Pd-功率耗散：200 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF2807STRLPBF SP001564210
单位重量：4 g
特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司（International Rectifier）的高级HEXFET®

功率MOSFET利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低

导通电阻。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的

快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员

提供了一种非常有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。

D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4的

裸片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的

功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低，

因此适合大电流应用，在典型的表面安装应用中，其耗散功率高达2.0W。

通孔版本（IRF2807L）可用于薄型应用。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	820	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	58
IDM	Pulsed Drain Current CD	280
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	230	W
	Linear Derating Factor	1.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
IAR	Avalanche CurrentCD	43	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	23	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt Gl	5.9	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF2807STRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装