IRF9Z34NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：D2PAK-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：19 A
Rds漏源导通电阻：100毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：23.3 nC
Pd-功率耗散：68 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF9Z34NSTRLPBF SP001554544
单位重量：4 g
特征

先进工艺技术
表面安装（RF9Z34NS）
低剖面通孔（RF9Z 34NL）
175°C工作温度
快速切换
P-通道
完全雪崩额定值
无铅

说明
来自internationa整流器的第五代hexfet利用先进的处理技术，

实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点，加上HEXFET功率

mosfet众所周知的快速开关速度和镀金器件设计，为设计人

员提供了一个非常高效和可靠的器件，可用于各种各样的功

率器件应用：D2pak是一个表面贴装的电源包，能够使模具

尺寸达到十六进制-4。它在任何现有的表面贴装封装中提供

电阻。由于其内部连接电阻低，所以2PAK适用于大电流应用，

并且在典型的表面安装应用中可以耗散到2.OW。

通孔型（RF9Z34 NL）可用于低剖面应用。

绝对最大值RatinaParameterMayUnitSP@Tc=25°19ID Tc=100C

连续漏极电流，VGS 0-10VG-14脉冲漏极电流O5-68POTA=25C

功耗Ipo@Tc=25“C功耗线性降容系数0.45WecGate-to-source Volta±20V

单脉冲雪崩能量21800为6.8MJdv/dtPeak二极管恢复dvidt@5Vinsoping JSre

 RangeColdering Temperature，对于10秒300（从外壳热阻到环境温度的

1.6毫米，para meterTypMaxUnits2.2毫米）（安装在PCB上的稳态）