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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:21 A
Rds上漏源导通电阻:82毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-萘甲酸:95 nC
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:3.8 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:17 S
下降时间:38 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:32 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF3315STRLPBF SP001563170
单位重量:4 g
特征
先进工艺技术
表面安装(RF3315S)
低剖面通孔(RF3315L)
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅
说明
来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术,
以实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点,再加上
HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固
型器件设计,为设计师提供了一个非常高效和可靠的
设备,可在各种应用中使用D2pak是一个表面贴装电
源包,能够在任何现有的表面贴装封装中提供最高的
功率容量和的导通电阻,可用于尺寸高达HEX-4
的普通模具。由于其内部连接电阻低,所以2PAK适用
于大电流应用,在典型的表面安装应用中可以耗散到
2.OW通孔型(RF3315L)可用于低剖面应用。
最大绝对额定值
Parameter
Max.
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
30
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
21
A
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
15
IDM
Pulsed Drain Current G)
170
PD @TA = 25°C
Power Dissipation ®
3.5
W
PD @TC = 25°C
Power Dissipation ®
94
Linear Derating Factor
0.63
W/°C
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
IRF3315STRLPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装