IRF3315STRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:21 A
Rds上漏源导通电阻:82毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-萘甲酸:95 nC
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:3.8 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:17 S
下降时间:38 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:32 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF3315STRLPBF SP001563170
单位重量:4 g
特征

先进工艺技术
表面安装(RF3315S)
低剖面通孔(RF3315L)
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅
说明
来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术,

以实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点,再加上

HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固

型器件设计,为设计师提供了一个非常高效和可靠的

设备,可在各种应用中使用D2pak是一个表面贴装电

源包,能够在任何现有的表面贴装封装中提供最高的

功率容量和的导通电阻,可用于尺寸高达HEX-4

的普通模具。由于其内部连接电阻低,所以2PAK适用

于大电流应用,在典型的表面安装应用中可以耗散到

2.OW通孔型(RF3315L)可用于低剖面应用。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

21

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

15

IDM

Pulsed Drain Current G)

170

PD @TA = 25°C

Power Dissipation ®

3.5

W

PD @TC = 25°C

Power Dissipation ®

94

 

Linear Derating Factor

0.63

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

°C


型号/规格

IRF3315STRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装