IRFR120NTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:9.1 A
Rds上漏源导通电阻:210毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:16.7 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:39 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
类型:HEXFET功率MOSFET
宽度:6.22毫米
商标:Infineon Technologies
下降时间:23 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:23 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:32 ns
典型起始延迟时间:4.5 ns
零件号别名:IRFR120NTRPBF SP001566944
单位重量:4 g
特征

表面安装(IRFR120N)
直导线(RFU120N)
先进工艺技术
快速切换
完全雪崩额定值

无铅

描述

第五代HEXFET SFfrom I I nternational整流器利用先进的处理技术,

实现每硅面积的最小电阻。它的优点,加上HEXFET功率mosfet众

所周知的快速开关速度和加固的器件设计,为设计人员提供了一种

非常高效的器件,可用于多种应用中。D-PAK设计用于使用气相、

红外或波峰焊接技术的表面安装。直引线版本(用于通孔安装的IRFU系列)。

在典型的表面贴装应用中,功耗水平可达到1.5瓦

绝对最大额定值sparametermaxunitsip 0 Tc=25C连续漏极电流,

Vs 10v9.4Ip e Tc=100连续漏极电流,Vos 2 10v6.6脉冲漏极电流

O16POOTC-25C功耗线性降额系数0.32AWFvVCgate-to-source Vtage±20

单脉冲雪崩能量(6MJAvalanche电流(67重复雪崩能量YO 6dv/at峰值

二极管恢复diat 3>5.0V/n工作结和存储温度范围焊接温度)。对于10秒300

(1.6mm ftom机箱热阻参数maxUnitsFunction-to-case3.r Function-to-ambient

(PCB安装)克拉荷根-环境110

型号/规格

MOSFET

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装