AUIRF1405ZS MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：150 A
Rds上漏源导通电阻：5.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：120 nC
最小工作温度：-55 C
Pd-功率耗散：230 W
通道模式：增强
资质：AEC-Q101
封装：Tube
配置：单
高度：4.4毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：9.25毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：82 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：110 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：48 ns
典型中断时间：18 ns
零件号别名：AUIRF1405ZS SP001519512
单位重量：4 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，
利用最新的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。
此设计的其他功能是175°C的结温，快速的开关速度
和改进的重复雪崩额定值。 这些功能相结合，
使该设计成为一种非常有效且可靠的器件，
可用于汽车应用以及各种其他应用。
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
150 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
110 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
600 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
230 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚ |
270 |
mJ |
|
EAS (tested) |
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value † |
420 |
|
|
IAR |
Avalanche Current |
See Fig.15,16, 12a, 12b |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy … |
mJ |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
AUIRF1405ZS
IR
TO-263
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
