IRF6775MTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-MZ
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：28 A
Rds上漏源导通电阻：47毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：25 nC
最小工作温度：-40 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：89 W
通道模式：增强
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：15 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：7.8 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：5.8 ns
典型起始延迟时间：5.9 ns
零件号别名：IRF6775MTRPBF SP001562042
特征
•最新的MOSFET硅技术
•针对D类音频放大器应用优化的关键参数
•低RDS（on）可提高效率
•较低的质量以获得更好的总谐波失真和更高的效率
•低Qrr可提供更好的THD和更低的EMI
•低封装杂散电感，可减少振铃并降低EMI
•可在半桥配置放大器中为4Ω负载的每个通道提供高达250W的功率
•双面冷却兼容
•与现有的表面贴装技术兼容
•符合RoHS标准，不含铅或溴
•无铅（符合260°C回流焊标准）

描述
该数字音频MSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。此外，优化了栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善关键的D类音频放大器性能因素，例如效率，THD和EMI。
IRF6775MPbF器件采用DirectFETTM封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比，DirectFETTM封装技术提供了更低的寄生电感和电阻。较低的电感通过减少伴随快速电流瞬变的电压振铃来提高EMI性能。当遵循应用说明AN-1035的制造方法和工艺时，DirectFETTM封装与电力应用，PCB组装设备和气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。 DirectFETTM封装还允许双面冷却，以最大限度地提高电源系统中的热传递，从而改善热阻和功耗。这些特性相结合，使该MOSFET成为适用于D类音频放大器应用的高效，坚固和可靠的器件。