IRF6775MTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:DirectFET-MZ
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:28 A
Rds上漏源导通电阻:47毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:25 nC
最小工作温度:-40 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:89 W
通道模式:增强
商标名:DirectFET
封装:剪切带
封装:Reel
配置:单
高度:0.7毫米
长度:6.35毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.05毫米
商标:Infineon Technologies
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7.8 ns
工厂包装数量:4800
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:5.8 ns
典型起始延迟时间:5.9 ns
零件号别名:IRF6775MTRPBF SP001562042
特征
最新的MOSFET硅技术
针对D类音频放大器应用优化的关键参数
低RDS(on)可提高效率
较低的质量以获得更好的总谐波失真和更高的效率
低Qrr可提供更好的THD和更低的EMI
低封装杂散电感,可减少振铃并降低EMI
可在半桥配置放大器中为4Ω负载的每个通道提供高达250W的功率
双面冷却兼容
•与现有的表面贴装技术兼容
•符合RoHS标准,不含铅或溴
•无铅(符合260°C回流焊标准)

描述
该数字音频MSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。此外,优化了栅极电荷,体二极管反向恢复和内部栅极电阻,以改善关键的D类音频放大器性能因素,例如效率,THD和EMI。
IRF6775MPbF器件采用DirectFETTM封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比,DirectFETTM封装技术提供了更低的寄生电感和电阻。较低的电感通过减少伴随快速电流瞬变的电压振铃来提高EMI性能。当遵循应用说明AN-1035的制造方法和工艺时,DirectFETTM封装与电力应用,PCB组装设备和气相,红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。 DirectFETTM封装还允许双面冷却,以最大限度地提高电源系统中的热传递,从而改善热阻和功耗。这些特性相结合,使该MOSFET成为适用于D类音频放大器应用的高效,坚固和可靠的器件。

型号/规格

IRF6775MTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

DirectFET-MZ

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装