IRFR1018ETRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:79 A
Rds漏源导通电阻:7.1毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:46 nC
MOSFETPd-功率耗散:110 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFR1018ETRPBF SP001566962
单位重量:550毫克
应用领域
高效同步整流
开关电源
不间断电源供应
高速电源开关
硬开关和高频电路
好处
  改进的Gate,Avalanche和Dynamic
dv / dt坚固性
  完全表征的电容和
雪崩SOA
  增强体二极管dV / dt和dI / dt
能力
绝对最大额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

79CD

 

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

56CD

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)

56

IDM

Pulsed Drain Current @

315

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

110

W

 

Linear Derating Factor

0.76

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery ®

21

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

雪崩特征

EAS (Thermally limited)

Single Pulse Avalanche Energy CT

88

mJ

IAR

Avalanche Current @

47

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy

11

mJ


型号/规格

IRFR1018ETRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装