IRFR1018ETRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：79 A
Rds漏源导通电阻：7.1毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：46 nC
MOSFETPd-功率耗散：110 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFR1018ETRPBF SP001566962
单位重量：550毫克
应用领域
高效同步整流
开关电源
不间断电源供应
高速电源开关
硬开关和高频电路
好处
改进的Gate，Avalanche和Dynamic
dv / dt坚固性
完全表征的电容和
雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt
能力
绝对最大额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
79CD |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
56CD |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
56 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current @ |
315 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
110 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.76 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery ® |
21 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
EAS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy CT
88
mJ
IAR
Avalanche Current @
47
A
EAR
Repetitive Avalanche Energy �
11
mJ
IRFR1018ETRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
