IRG4PH50UDPBF IGBT晶体管▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-247-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极最大电压VCEO：1.2 kV
集电极—射极饱和电压：3.7 V
正极/发射极最大电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：45 A
Pd-功率耗散：200 W
IGBT晶体管最小工作温度：-55 C
IGBT晶体管最大工作温度：+ 150 C
封装：Tube
集电极最大连续电流Ic：45 A
高度：20.3毫米
长度：15.9毫米
宽度：5.3毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：400
子类别：IGBT
零件号别名：IRG4PH50UDPBF SP001542126
单位重量：38 g

特征
•UltraFast：针对硬切换，针对高达40 kHz的高工作频率进行了优化，
谐振模式下> 200 kHz
•新的IGBT设计提供更紧密的
参数分布和效率比前几代高
•IGBT与HEXFREDTM超快封装在一起，
用于桥配置的超软恢复反并联二极管
•行业标准TO-247AC封装
•无铅
好处
•比竞争对手的IGBT具有更高的开关频率能力
•最高效率
•HEXFRED二极管针对IGBT的性能进行了优化。最小化恢复特性要求
更少/没有冷漠
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VCES	Collector-to-Emitter Breakdown Voltage	1200	V
I_C @ T_C = 25°C	Continuous Collector Current	45	A
I_C @ T_C = 100°C	Continuous Collector Current	24
ICM	Pulsed Collector Current CD	180
ILM	Clamped Inductive Load Current �	180
I_F @ T_C = 100°C	Diode Continuous Forward Current	16
IFM	Diode Maximum Forward Current	180
VGE	Gate-to-Emitter Voltage	± 20	V
P_D @ T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	200	W
P_D @ T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation	78	W
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (0.063 in. (1.6mm) from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw.	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRG4PH50UDPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装