IRG4PH50UDPBF IGBT晶体管▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:IGBT晶体管
RoHS:详细信息
技术:Si
封装/箱体:TO-247-3
安装风格:通孔
配置:单
集电极—发射极最大电压VCEO:1.2 kV
集电极—射极饱和电压:3.7 V
正极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:45 A
Pd-功率耗散:200 W
IGBT晶体管最小工作温度:-55 C
IGBT晶体管最大工作温度:+ 150 C
封装:Tube
集电极最大连续电流Ic:45 A
高度:20.3毫米
长度:15.9毫米
宽度:5.3毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:IGBT晶体管
工厂包装数量:400
子类别:IGBT
零件号别名:IRG4PH50UDPBF SP001542126
单位重量:38 g

特征
•UltraFast:针对硬切换,针对高达40 kHz的高工作频率进行了优化,
谐振模式下> 200 kHz
•新的IGBT设计提供更紧密的
参数分布和效率比前几代高
•IGBT与HEXFREDTM超快封装在一起,
用于桥配置的超软恢复反并联二极管
•行业标准TO-247AC封装
•无铅
好处
•比竞争对手的IGBT具有更高的开关频率能力
•最高效率
•HEXFRED二极管针对IGBT的性能进行了优化。 最小化恢复特性要求
更少/没有冷漠
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VCES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

1200

V

IC @ TC = 25°C

Continuous Collector Current

45

 

A

IC @ TC = 100°C

Continuous Collector Current

24

ICM

Pulsed Collector Current CD

180

ILM

Clamped Inductive Load Current

180

IF @ TC = 100°C

Diode Continuous Forward Current

16

IFM

Diode Maximum Forward Current

180

VGE

Gate-to-Emitter Voltage

± 20

V

PD @ TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

200

W

PD @ TC = 100°C

Maximum Power Dissipation

78

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (0.063 in. (1.6mm) from case )

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRG4PH50UDPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装