IRLB3036PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:270 A
Rds上漏源导通电阻:2.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Qg-血浆甲醛:91 nC
Pd-功率耗散:380 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRLB3036PBF SP001568396
单位重量:6 g
应用领域
•直流电机驱动
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•针对逻辑电平驱动进行了优化
•在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)
•4.5V VGS时具有出色的R * Q
•改进的门,雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅

最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

270(})  

 

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

190(})  

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

195

IDM

Pulsed Drain Current (£)  

1100

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

380

W

 

Linear Derating Factor

2.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

±16

V

dv/dt

Peak Diode Recovery ©

8.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lb"in (1.1N"m)


型号/规格

IRLB3036PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装