IRLB3036PBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：270 A
Rds上漏源导通电阻：2.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：91 nC
Pd-功率耗散：380 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLB3036PBF SP001568396
单位重量：6 g
应用领域
•直流电机驱动
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•针对逻辑电平驱动进行了优化
•在4.5V VGS时具有极低的RDS（ON）
•4.5V VGS时具有出色的R * Q
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
最大绝对额定值
Symbol
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
270(})
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
190(})
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)
195
IDM
Pulsed Drain Current (￡)
1100
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
380
W
Linear Derating Factor
2.5
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
±16
V
dv/dt
Peak Diode Recovery ©
8.0
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
300
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
10lb"in (1.1N"m)
IRLB3036PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
