IRF1310NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：42 A
Rds上漏源导通电阻：36毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：73.3 nC
Pd-功率耗散：160 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF1310NPBF SP001553864
单位重量：6 g
HEXFETE功率mosfet先进工艺技术动态dv/dt额定值vdss=100V

175°C工作温度fast开关完全雪崩率drps（on）=0.03602

描述id=42a如果来自国际整流器的第二代HEXFET利用先进的

工艺技术实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点，加上HEXFET

功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设计人

员提供了一种非常高效和可靠的器件，可用于多种应用。

TO-220封装在功耗水平上普遍适用于所有商业工业应用大约50瓦。

TO-220TO-220AB的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业的广泛

接受绝对最大额定值sparaunitsid@Tc=25“连续漏极电流，Ves@10V1p Q Te=100° C

连续漏极电流Vs 0 10v脉冲漏极电流O140Po@Tc=25%C功耗线性降额系数

w/CIGSGate to source voltage20 vesingle Pulse Avalanche Energy@）

雪崩电流（yARepetitive Avalanche Energyodv/dtPeak Recovery dv/dt 35.0V/ns

Operating Jun action and 55 to+175 storage温度范围焊接温度，持续10秒300

（1。距箱体安装扭矩6mm，6-32或M3 srew10 Ibfin（1。1NM）热阻参数

yp.MaxUnitsJun action-to-case0.95 case-to-sink，平面，润滑表面0.50-CReJun action-to-ambient