IRF7503TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：Micro-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：2.4 A
Rds上漏源导通电阻：135毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：7.8 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.25 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.11毫米
长度：3 mm
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：1.9 S
下降时间：5.3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：10 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：12 ns
典型起始延迟时间：4.7 ns
零件号别名：IRF7503TRPBF SP001555496
单位重量：25.540毫克

HEXFETE功率mosfetegeneration V技术超低

导通电阻双N通道MOSFETG1HID DVDSS=30v

非常小的SOIC封装外形（<1。1mm）可在磁带

卷盘HBD2中快速切换rds（开）=0。1350Top 

ViewDescription来自国际整流器的第二代HexFeT

利用先进的加工技术，实现每硅面积的极低导通电阻。

这一优点，加上HEXFET功率mosfet众所周知的快速

开关速度和坚固耐用的设计，为设计者提供了一个

非常高效和可靠的设备，可用于多种应用新型Mlicro8封装，

占地面积只有微型标准SO-8的一半，提供Solc大纲中可用

的最小内存占用。这使得Micro成为一个理想的设备，适用

于印刷电路板空间非常小的应用场合。低调（<1。1毫米

的微型机能够很容易地适应超薄的应用环境，如便携式电子

设备和PCMCIA卡解决最大额定值SPARAMEtermaxUnitsIB Q TA=25C

连续漏极电流，Ves 10VIIB Q TA=70℃连续漏极电流，

Vos@10V脉冲漏极电流OPo@TA=25，C功耗1.25线性

降额系数相对源电压20dv/dtPeak二极管恢复dv/dt e5.0V/nstjtstgunction

和存储温度范围-55至150热阻参数maxUnitsMaximum连接

到环境@ECNAll Micro8数据表反映了改进的热阻，

功率和电流处理额定值-仅对标有日期代码505或更高版本的产品有效.