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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-263-7
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:240 A
Rds漏源导通电阻:1.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V
Qg-血浆甲醛:236 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:375 W
通道模式:增强
商标名:StrongIRFET
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:4.4毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:9.25毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-预期:249 S
下降时间:79 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:102 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:168 ns
典型中断时间:24 ns
零件号别名:IRFS7530TRL7PP SP001557500
单位重量:1.600克
应用
有刷电机驱动器应用
BLDC电机驱动器应用
电池供电的电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器的应用
谐振模式电源
ORing和冗余电源开关
好处
改进了Gate,雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征的电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅,符合RoHS
最大绝对额定值
Symbol
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
338
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
239
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)
240
IDM
Pulsed Drain Current ‚
1450
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
375
W
Linear Derating Factor
2.5
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
V
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)
300
IRFS7530TRL7PP
IR
TO-263
无铅环保型
直插式
卷带编带包装