IRFH5110TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-8
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:63 A
Rds上漏源导通电阻:12.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:48 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:114 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.83毫米
长度:6 mm
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5毫米
商标:Infineon / IR
下降时间:6.4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9.6 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:22 ns
典型起始延迟时间:7.8 ns
零件号别名:IRFH5110TRPBF SP001560340

应用领域
二次侧同步整流
直流电动机逆变器
DC-DC砖应用
特征
低RDSon(<12.4mΩ)
对PCB的低热阻(<1.1°C / W)
已通过100%汞测试
薄型(<0.9毫米)
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
MSL1,工业资格
好处
降低传导损耗
功率密度增加
可靠性更高
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

100

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

11

 

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

9.0

ID @ TC(Bottom) = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

63

ID @ TC(Bottom) = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

40

IDM

Pulsed Drain Current Q)

252

PD @TA = 25°C

Power Dissipation CT

3.6

W

PD @ TC(Bottom) = 25°C

Power Dissipation CT

114

 

Linear Derating Factor CT

0.029

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

型号/规格

IRFH5110TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装