IRF540NLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-262-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:33 A
Rds上漏源导通电阻:44毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:47.3 nC
Pd-功率耗散:140 W
封装:Tube
配置:单
高度:9.45毫米
长度:10.2毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.5毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF540NLPBF SP001571292
单位重量:2.387 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
先进的HEXFET®功率MOSFET
国际整流器公司利用先进的处理技术,使每个硅面积的导通电阻极低。这种好处与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件,可用于多种应用。
D2Pak是一种表面贴装电源套件,能够
可容纳最大尺寸为HEX-4的模具。在任何现有的表面贴装封装中,它都具有最高的功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低,因此适用于大电流应用,并且会耗散
在典型的表面贴装应用中为2.0W。
通孔版本(IRF540NL)可用于薄型应用。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V 0

33

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V 0

23

IDM

Pulsed Drain Current CD0

110

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

130

W

 

Linear Derating Factor

0.87

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

土 20

V

IAR

Avalanche CurrentCD

16

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

13

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt cr0

7.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF540NLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-262

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装