IRLB8314PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
MOSFET晶体管极性：N沟道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：171 A
漏源导通电阻：1.9 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.7 V
Qg-萘甲酸：40 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：125 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：307 S
下降时间：72 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：142 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：32 ns
典型中断时间：19 ns
零件号别名：IRLB8314PBF SP001572766
单位重量：6 g
应用
针对UPS /逆变器应用进行了优化
低压电动工具
好处
UPS/逆变器应用最佳性能
在4.5V VGS时具有非常低的RDS（on）
超低门阻抗
全面表征雪崩电压和电流
无铅，符合RoHS标准

最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	171†	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	120
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Package Limited)	130
IDM	Pulsed Drain Current	664
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	125	W
P_D @T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation	63	W
	Linear Derating Factor	0.83	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw	10 lbf·in (1.1 N·m)

型号/规格

IRLB8314PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装