IRF7420TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:12 V
Id-连续直流电流:11.5 A
Rds上漏源导通电阻:14毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:8 V
Qg-血浆甲醛:38 nC
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7420TRPBF SP001571942
单位重量:540毫克
特征

•超低导通电阻
•P沟道MOSFET
•表面贴装
•提供卷带包装
•无铅
描述
这些来自国际整流器公司(International Rectifier)的P沟道

HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术来实现极低的每

硅面积导通电阻。 这一好处为设计人员提供了一种非常高效

的设备,可用于电池和负载管理应用。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改,以增强热特性和多

芯片能力,使其成为各种电源应用的理想选择。 通过这些改进,

可以在一块板子空间大大减少的应用中使用多种设备。

 该封装设计用于气相,红外或波峰焊技术。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain- Source Voltage

-12

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V

-11.5

 

A

ID @ TA= 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V

-9.2

IDM

Pulsed Drain Current CD

-46

PD @TA = 25°C

Power Dissipation Gl

2.5

w

PD @TA = 70°C

Power Dissipation Gl

1.6

 

Linear Derating Factor

20

mW/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

±8

V

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to +150

°C



型号/规格

IRF7420TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装