IRFS4115TRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:99 A
Rds上漏源导通电阻:12.1毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:5 V
Qg-萘甲酸:120 nC
MOSFET最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:375 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:97 S
下降时间:39 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:73 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFS4115TRLPBF SP001578272
单位重量:4 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门,雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅

最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

99G)

 

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

70 G)

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)

195

IDM

Pulsed Drain Current (?)  

396

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

375

W

 

Linear Derating Factor

2.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery @)

18

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lb"in (1.1N"m)

型号/规格

IRFS4115TRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装