IRF6218STRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263
晶体管极性：P-Channel
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：27 A
Rds上漏源导通电阻：150毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：21 nC
Pd-功率耗散：250 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF6218STRLPBF SP001576876
单位重量：2 g
应用领域
有源钳位复位DC-DC转换器的复位开关
好处
低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计（请参见应用笔记AN1001）
全面表征雪崩电压和电流
无铅
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	-150	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	- 27	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	-19
IDM	Pulsed Drain Current	- 110
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	250	W
	Linear Derating Factor	1.6	W/°C
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dtƒ	8.2	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C

热阻

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJC	Junction-to-Case …	–––	0.61	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient ( PCB Mount, steady state) †	–––	40	°C/W

型号/规格

IRF6218STRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装