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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-8
晶体管极性:P-Channel
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:21 A
Rds上漏源导通电阻:4.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:110 nC
Pd-功率耗散:3.1 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1毫米
长度:6 mm
晶体管类型:1 P通道
宽度:5毫米
商标:Infineon / IR
湿度敏感性:是
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFH9310TRPBF SP001556540
单位重量:6 g
应用领域
笔记本电脑电池应用的充放电开关
特征
低RDSon(≤4.6mΩ)
行业标准的PQFN封装
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
好处
降低传导损耗
多厂商兼容性
环保
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
-30 |
V |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-21 |
A |
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-17 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Silicon Limited) |
-107 |
|
ID @ TC = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Silicon Limited) |
- 86 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Package Limited) |
-40 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current Q) |
-170 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation @ |
3.1 |
W |
PD @ TA = 70°C |
Power Dissipation @ |
2.0 |
|
|
Linear Derating Factor |
0.025 |
W/°C |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJC |
Junction-to-Case @ |
––– |
1.6 |
°C/W |
RqJA |
Junction-to-Ambient ® |
––– |
40 |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (t<10s) ® |
––– |
35 |
IRFH9310TRPBF
IR
PQFN
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装