IRFH9310TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-8
晶体管极性:P-Channel
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:21 A
Rds上漏源导通电阻:4.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:110 nC
Pd-功率耗散:3.1 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1毫米
长度:6 mm
晶体管类型:1 P通道
宽度:5毫米
商标:Infineon / IR
湿度敏感性:是
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFH9310TRPBF SP001556540
单位重量:6 g
应用领域
笔记本电脑电池应用的充放电开关
特征
低RDSon(≤4.6mΩ)
行业标准的PQFN封装
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素

好处

降低传导损耗
多厂商兼容性
环保
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

-30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-21

 

 

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-17

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Silicon Limited)

-107

ID @ TC = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Silicon Limited)

- 86

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Package Limited)

-40

IDM

Pulsed Drain Current Q)

-170

PD @TA = 25°C

Power Dissipation @

3.1

W

PD @ TA = 70°C

Power Dissipation @

2.0

 

Linear Derating Factor

0.025

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

热阻

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case @

–––

1.6

 

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient ®

–––

40

RqJA

Junction-to-Ambient (t<10s) ®

–––

35

型号/规格

IRFH9310TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装