IRF9358TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：9.2 A
Rds上漏源导通电阻：13毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：19 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF9358TRPBF SP001575404
单位重量：540毫克
特征
行业标准的SO-8封装
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
好处
多厂商兼容性
环保
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
-30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
-9.2 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
-7.3 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-73 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation © |
2.0 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation © |
1.3 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.016 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy @ |
––– |
210 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current G) |
––– |
-7.3 |
A |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead (1) |
––– |
20 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient © |
––– |
62.5 |
|
|
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Units |
Conditions |
|
IS |
Continuous Source Current (Body Diode) |
––– |
––– |
-2.0 |
A |
MOSFET symbol D showing the integral reverse G p-n junction diode. S |
|
ISM |
Pulsed Source Current (Body Diode) G) |
––– |
––– |
-73 |
||
|
VSD |
Diode Forward Voltage |
––– |
––– |
-1.2 |
V |
TJ = 25°C, IS = -2.0A, VGS = 0V CT |
|
trr |
Reverse Recovery Time |
––– |
55 |
83 |
ns |
TJ = 25°C, IF = -2.0A, VDD = -24V di/dt = 100A/μs CT |
|
Qrr |
Reverse Recovery Charge |
––– |
35 |
53 |
nC |
IRF9358TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
