IRFR825TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
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无
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：500 V
Id-连续直流电流：6 A
Rds上漏源导通电阻：1.05 Ohms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5 V
Qg-血浆甲醛：34 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：119 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：7.5 S
下降时间：20 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：25 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：30 ns
典型起始延迟时间：8.5 ns
零件号别名：IRFR825TRPBF SP001557136
单位重量：4 g
应用领域
零电压开关SMPS
不间断电源
电机控制应用
特点和优点
快速本体二极管消除了ZVS应用中对外部二极管的需求。
较低的闸门电荷可简化驱动器要求。
更高的栅极电压阈值可提高抗干扰能力。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.0 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
3.9 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
24 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
119 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.0 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ® |
9.9 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
IRFR825TRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
