IRFZ34NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:29 A
Rds漏源导通电阻:40毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:22.7 nC
Pd-功率耗散:68 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFZ34NSTRLPBF SP001568092
单位重量:4 g
特征
•先进的工艺技术
•表面贴装(IRFZ34NS)
•薄型通孔(IRFZ34NL)
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,

以实现极低的每硅面积导通电阻。这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器

件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠

的器件,可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装,能够容纳高达HEX-4

的裸片尺寸。它提供了
在任何现有的表面贴装封装中,都具有最高的功率能力

和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低,因此适

合大电流应用,在典型的表面安装应用中,其耗散功率

高达2.0W。
通孔版本(IRFZ34NL)可用于薄型应用。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10Va:

29

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10Va:

20

IDM

Pulsed Drain Current CDa:

100

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

3.8

W

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

68

W

 

Linear Derating Factor

0.45

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy0a:

130

mJ

IAR

Avalanche CurrentCD

16

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

5.6

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt CTa:

5.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

型号/规格

IRFZ34NSTRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装