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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:8.9 A
Rds上漏源导通电阻:21.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:6.9 nC
Pd-功率耗散:2.0 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7905TRPBF SP001570570
单位重量:540毫克
应用领域
•用于POL的双SO-8 MOSFET
笔记本电脑,服务器中的转换器,
图形卡,游戏机和机顶盒
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•低门收费
•全面表征雪崩电压和电流
•20V VGS最大。 门额定值
•改进的体二极管反向恢复
•100%经过RG测试
•无铅
最大绝对额定值
|
Parameter |
Q1 Max. |
Q2 Max. |
Units |
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
||
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
7.8 |
8.9 |
A |
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.2 |
7.1 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
62 |
71 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.0 |
2.0 |
W |
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
1.3 |
1.3 |
|
|
Linear Derating Factor |
0.016 |
0.016 |
W/°C |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Parameter |
Q1 Max. |
Q2 Max. |
Units |
RqJL |
Junction-to-Drain Lead (i) |
42 |
42 |
°C/W |
RqJA |
Junction-to-Ambient @(i) |
62.5 |
62.5 |
|
Parameter |
Typ. |
Q1 Max. |
Q2 Max. |
Units |
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy @ |
––– |
12 |
18 |
mJ |
IAR |
Avalanche Current CD |
––– |
6.2 |
7.1 |
A |
IRF7905TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装