IRF1404ZPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：180 A
Rds漏源导通电阻：2.7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：100 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：200 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-对抗：170 S
下降时间：58 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：110 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：36 ns
典型中断时间：18 ns
零件号别名：IRF1404ZPBF SP001574476
单位重量：6 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅

描述
该HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。该设计区域的附加功能是175°C的工作温度，快速的开关速度和提高的重复雪崩额定值。这些功能相结合，使该设计成为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种应用。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (S ilicon Limited)	180 @	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	120 @
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (P ackage Limited)	120 @
IDM	Pulsed Drain Current CD	710
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	200	W
	Linear Derating Factor	1.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS (Thermally limited)	Single Pulse Avalanche Energy@	330	mJ
EAS (Tested )	Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ®	480	mJ
IAR	Avalanche Current CD	See Fig.12a, 12b, 15, 16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy G)	See Fig.12a, 12b, 15, 16	mJ
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 0	10 lbf．in (1.1N．m)

型号/规格

IRF1404ZPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装