IRF1405STRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：131 A
Rds上漏源导通电阻：5.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：170 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：200 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：69 S
下降时间：110 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：190 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：130 ns
典型起始延迟时间：13 ns
零件号别名：IRF1405STRLPBF SP001571200
单位重量：4 g
典型应用
工业电机驱动
好处
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
描述
HEXFET®功率MOSFET的条纹平面设计利用最新的处理

技术来实现每硅面积的极低导通电阻。该HEXFET功率

MOSFET的其他功能是结温为175°C，开关速度快，

重复雪崩额定值得到了提高。这些优点相结合，

使该设计成为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种应用。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	131®	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	93®
IDM	Pulsed Drain Current CD	680
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	200	W
	Linear Derating Factor	1.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0	590	mJ
IAR	Avalanche Current	See Fig.12a, 12b, 15, 16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy<v	See Fig.12a, 12b, 15, 16	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF1405STRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装