IRFH4253DTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：25 V
Id-连续直流电流：64 A
Rds上漏源导通电阻：3.2毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.6 V
Qg-血浆甲醛：15 nC，47 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：31 W，50 W
通道模式：增强
商标名：FastIRFet
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：0.9毫米
长度：6 mm
晶体管类型：2 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-应力：131 S，164 S
下降时间：15 ns，65 ns
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
上升时间：61 ns，98 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：13 ns，26 ns
典型中断时间：10 ns，16 ns
零件号别名：IRFH4253DTRPBF SP001556246
应用领域
synchronous用于同步降压转换器的控制和同步MOSFET
特征
封装中的控制和同步MSFET
低电荷控制MSFET（典型值为10nC）
低RDSON同步MOSFET（<1.45mW）
Q2上具有低正向电压的本征肖特基二极管
符合RoHS，无卤素
MSL1，工业资格
好处
功率密度增加
降低开关损耗
更低的传导损耗
降低开关损耗
环保
可靠性更高
最大绝对额定值
Parameter
Q1 Max.
Q2 Max.
Units
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
V
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V
64†‡
145†‡
A
ID @ TC = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V
51†‡
116†‡
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V (Source Bonding Technology Limited)
35‡
35‡
IDM
Pulsed Drain Current
120
580ˆ
PD @TC = 25°C
Power Dissipation
31
50
W
PD @TC = 70°C
Power Dissipation
20
32
Linear Derating Factor
0.25
0.40
W/°C
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 150
°C
IRFH4253DTRPBF
IR
QFN-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
