IRF520NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：9.5 A
Rds漏源导通电阻：200毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：16.7 C
Pd-功率耗散：47 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF520NSTRLPBF SP001551098
单位重量：4 g
特征
先进工艺技术
表面安装（IRF520NS）
低剖面通孔（RF520NL）
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅
描述
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的处理
技术实现了极低的单晶硅区导通电阻这一优点，
结合HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度
和加固的设备设计，为设计人员提供了一个极为
高效可靠的使用设备在广泛的应用中，D-pak是一
种表面安装的动力组件，能够容纳高达HEX-4的模
具尺寸。它提供了最高的功率能力和的可能的
电阻在任何现有的表面安装包。D2pak可用于大电
流应用，因为其内部连接电阻低，可消散多达2。在
典型的表面贴装应用中，通孔型（RF520NL）可用
于低剖面应用。
最大绝对额定值
Parameter
Max.
Units
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
9.7
A
ID @ TA = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
6.8
IDM
Pulsed Drain Current CD
38
PD @TA = 25°C
Power Dissipation
3.8
W
Linear Derating Factor
0.32
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
V
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt ®
5.0
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
300 (1.6mm from case )
IRF520NSTRLPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
