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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续直流电流:30 A
Rds上漏源导通电阻:75毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-血浆甲醛:82 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
钯-功率耗散:214 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-对抗:17 S
下降时间:33 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:43 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:41 ns
典型起始延迟时间:14 ns
零件号别名:IRFP250MPBF SP001566168
单位重量:38 g
特征
•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•轻松并行
•简单的驱动器要求
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,
以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器
件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠
的器件,可广泛用于各种应用中。
TO-247封装是商业工业应用的首选,在商业应用中,较
高的功率水平导致无法使用TO-220器件。 TO-247与
TO-218相似,但由于其隔离的安装孔而优于早期的TO-218封装。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
30 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
21 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
120 |
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
214 |
W |
|
Linear Derating Factor |
1.4 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
EAS |
Single Pulse Avalanche EnergyCT |
315 |
mJ |
IAR |
Avalanche CurrentCD |
30 |
A |
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
21 |
mJ |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt Gl |
8.6 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to +175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 srew |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|
IRFP250MPBF
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装