IRL3803PBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：120 A
Rds上漏源导通电阻：9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：93.3 nC
Pd-功率耗散：150 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL3803PBF SP001557982
单位重量：6 g
特征
无铅
逻辑电平门驱动器
先进工艺技术
超低电阻
动态dv/dt额定值175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
说明
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的加工技术，
实现了对抗干扰面积的最小可能。这种优点结合了HEXFET
功率mosfet众所周知的快速开关速度和坚固耐用的设计，
为设计者提供了一种非常高效的设备，可用于多种应用。
TO-220封装在功率耗散水平达到大约50瓦。TO-220的低
热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛的接受。
最大绝对额定值
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10Va:
29
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10Va:
20
IDM
Pulsed Drain Current CDa:
100
PD @TA = 25°C
Power Dissipation
3.8
W
PD @TC = 25°C
Power Dissipation
68
W
Linear Derating Factor
0.45
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
士 20
V
EAS
Single Pulse Avalanche Energy0a:
130
mJ
IAR
Avalanche CurrentCD
16
A
EAR
Repetitive Avalanche EnergyCD
5.6
mJ
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt CTa:
5.0
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
300 (1.6mm from case )
IRL3803PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
