IRFH8307TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：100 A
Rds漏源导通电阻：1.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.35 V
Qg-萘甲酸：50 nC
Pd-功率耗散：156 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：190 S
下降时间：13 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：30 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：31 ns
典型起始延迟时间：26 ns
零件号别名：IRFH8307TRPBF SP001565976
单位重量：164毫克
应用领域
用于12V（典型值）总线浪涌电流的OR-ing MOSFET
电池驱动直流电动机逆变器
特征
低RDSon（<1.3mΩ）
对PCB的低热阻（<0.8°C / W）
薄型（<0.9毫米）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS，无卤素
MSL1，工业资格
好处
降低传导损耗
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
42 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
33 |
|
|
ID @ TC (Bottom) = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
100† |
|
|
ID @ TC (Bottom) = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
100† |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
400 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation … |
3.6 |
W |
|
PD @TC (Bottom) = 25°C |
Power Dissipation … |
156 |
|
|
|
Linear Derating Factor … |
0.029 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRFH8307TRPBF
IR
PQFN
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
