IRF5802TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TSOP-6
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:900 mA
导通电阻:1.2 Ohms
Vgs-克罗地亚-源极电压:30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:5.5 V
Qg-萘甲酸:4.5 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.1毫米
长度:3 mm
MOSFET晶体管类型:1 N沟道
宽度:1.5毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-加速度:0.55 S
下降时间:9.2 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:1.6 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:7.5 ns
典型起始延迟时间:6 ns
零件号别名:IRF5802TRPBF SP001561828
单位重量:20毫克
应用领域
•高频DC-DC转换器
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容,包括有效的COSS来简化设计,(请参见应用笔记AN1001)
•全面表征雪崩电压和电流
•无铅
•无卤素

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

0.9

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

0.7

IDM

Pulsed Drain Current CD

7.0

PD @TA = 25°C

Power Dissipation©

2.0

W

 

Linear Derating Factor

0.02

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 30

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt ®

7.1

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

热阻

 

Parameter

Max.

Units

RqJA

Maximum Junction-to-Ambient®

62.5

°C/W


型号/规格

IRF5802TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TSOP-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装