IRF5802TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
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无
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：900 mA
导通电阻：1.2 Ohms
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.5 V
Qg-萘甲酸：4.5 nC
最小工作温度：-55°C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：0.55 S
下降时间：9.2 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：1.6 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：7.5 ns
典型起始延迟时间：6 ns
零件号别名：IRF5802TRPBF SP001561828
单位重量：20毫克
应用领域
•高频DC-DC转换器
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•全面表征雪崩电压和电流
•无铅
•无卤素
最大绝对额定值
Parameter
Max.
Units
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
0.9
A
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
0.7
IDM
Pulsed Drain Current CD
7.0
PD @TA = 25°C
Power Dissipation©
2.0
W
Linear Derating Factor
0.02
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 30
V
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt ®
7.1
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 150
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
300 (1.6mm from case )
热阻
Parameter
Max.
Units
RqJA
Maximum Junction-to-Ambient®
62.5
°C/W
IRF5802TRPBF
IR
TSOP-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
