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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:100 A
Rds上漏源导通电阻:10毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Qg-萘甲酸:40 nC
Pd-功率耗散:130 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRL2203NPBF SP001573688
单位重量:6 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司(International Rectifier)的
高级HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技
术来实现每硅面积的极低导通电阻。 这项优势
与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关
速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员
提供了一种极其有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
TO-220封装普遍适用于所有功耗约为50瓦的商业工业应用。
TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
1160 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
82 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
400 |
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
180 |
W |
|
Linear Derating Factor |
1.2 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
土 16 |
V |
IAR |
Avalanche CurrentCD |
60 |
A |
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
18 |
mJ |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt Gl |
5.0 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 srew |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|
IRL2203NPBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装