IRL540NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：36 A
Rds漏源导通电阻：63毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：49.3 nC
Pd-功率耗散：3.8 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL540NSTRLPBF SP001578742
单位重量：4 g
特征
先进工艺技术
表面安装（IRL540NS）
低剖面通孔（RL540NL）
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅
说明
来自国际整流器的第五代六角场效应晶体管利用先进的加工技术
实现了每硅面积的极低导通电阻。这一优点，加上快速开关速度
和坚固的器件设计，HEXFET功率mosfet众所周知，为设计师提供
了一个非常高效和可靠的设备，用于各种各样的应用D-pak是一个
表面贴装的电源包，能够使模具尺寸达到HEX-4。它提供了最高的
功率能力和的可能在任何现有的表面贴装封装电阻。由于其低
的内部连接电阻和可消散高达2，所以它适用于大电流应用。在典
型的表面贴装应用中，通孔型（RF540NL）可用于低剖面应用。
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
350CD |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
250CD |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
195 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current 0 |
1390 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
380 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
2.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery ® |
2.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb·in (1.1N·m) |
|
IRL540NSTRLPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
